عضو هیات علمی پژوهشگاه مواد و انرژی کشور گفت: فیلم های نازک مغناطیسی چندلایه ای در مقیاس نانو در این پژوهشگاه ساخته شد.
دکتر حاجی شیرین زاده روز چهارشنبه در گفت و گو با خبرنگار ایرنا افزود: این فیلم ها می توانند به عنوان محیط های ذخیره اطلاعات به کار گرفته شوند، بدین صورت که اعمال میدان مغناطیسی با شدت کافی و با تمرکز بالا به هر نقطه فیلم، موجب چرخش حوزه های مغناطیسی در آن نقطه می شود و به دلیل وجود ناخالصی ها میدان مغناطیس حوزه ها دوباره به حالت اول باز نمی گردد.
وی گفت: مواد و وسائل زیادی نظیر دیسک های متحرک سخت رایانهای، تراشه های حافظه ای غیر فرار، حسگرهای میدان مغناطیسی و عایق کننده های فوق العاده سریع بر پایه آثار مقاومت مغناطیسی عظیم ساخته شده است.
عضو هیات علمی پژوهشگاه گفت: اثر مقاومت عظیم ( GMR) یکی از پدیده های جالب در عرصه خواص مغناطیسی لایه های نازک می باشد که هم دارای پتانسیل کاربردی بالا و هم دارای مفاهیم عمیق فیزیکی است.
وی افزود: در این پروژه بررسی الکتریکی نمونه ها به صورت جریان در صفحه و بررسی های مغناطیسی در حالت های میدان عمودی و موازی با سطح نمونه ها انجام گرفت.
شیرین زاده گفت: نتایج حاصل نشان می دهد که کاهش مقاومت الکتریکی در اثر اعمال میدان مغناطیسی از مشخصه های اصلی این حسگرها می باشد که نمونه های ساخته شده بوضوح این پدیده را نشان دادند و همچنین نمونه ها افت قابل توجهی را در مقاومت الکتریکی بر اثر تغییر ضخامت از خود نشان دادند.
پژوهشگاه مواد و انرژی ایران در مشکسن دشت شهرستان فردیس البرز مستقر است.